HAT2168H-EL-E

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Parte del fabricante

HAT2168H-EL-E

Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
3047
Hojas de datos en línea
HAT2168H-EL-E PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:30A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:7.9mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:-
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:11 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1730 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):15W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:LFPAK
  • paquete / caja:SC-100, SOT-669
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