NTMS7N03R2G

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Parte del fabricante

NTMS7N03R2G

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
907000
Hojas de datos en línea
NTMS7N03R2G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4.8A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:23mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:43 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1.19 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):800mW (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SOIC
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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