FQPF30N06L

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Parte del fabricante

FQPF30N06L

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 22.5A TO220F
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
110000
Hojas de datos en línea
FQPF30N06L PDF
Consulta
  • serie:QFET®
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:22.5A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:35mOhm @ 11.3A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:20 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1040 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):38W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220F
  • paquete / caja:TO-220-3 Full Pack
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