SSM6J422TU,LF

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Parte del fabricante

SSM6J422TU,LF

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
10518
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:U-MOSVI
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.5V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:42.7mOhm @ 3A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:12.8 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):+6V, -8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:840 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):1W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:UF6
  • paquete / caja:6-SMD, Flat Leads
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