FCA36N60NF

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Parte del fabricante

FCA36N60NF

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
10234
Hojas de datos en línea
FCA36N60NF PDF
Consulta
  • serie:*
  • paquete:TubeTube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:34.9A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:95mOhm @ 18A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:112 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±30V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:4245 pF @ 100 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):312W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-3PN
  • paquete / caja:TO-3P-3, SC-65-3
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