BSS126H6327XTSA2

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Parte del fabricante

BSS126H6327XTSA2

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
40950
Hojas de datos en línea
BSS126H6327XTSA2 PDF
Consulta
  • serie:SIPMOS®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:21mA (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):0V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:500Ohm @ 16mA, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.6V @ 8µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:2.1 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:28 pF @ 25 V
  • característica fet:Depletion Mode
  • disipación de potencia (máx.):500mW (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-23-3
  • paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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