UF3SC065040D8S

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Parte del fabricante

UF3SC065040D8S

Fabricante
UnitedSiC
Descripción
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
2464
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):12V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:58mOhm @ 20A, 12V
  • vgs(th) (máx) @ id:6V @ 10mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:43 nC @ 12 V
  • vgs (máx.):±25V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1500 pF @ 100 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):125W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:4-DFN (8x8)
  • paquete / caja:4-PowerTSFN
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