Name: TK58E06N1,S1X
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK58E06N1,S1X
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: TK58E06N1,S1X

Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descripción: MOSFET N-CH 60V 58A TO220

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 37447

Hojas de datos en línea: TK58E06N1,S1X PDF

TK58E06N1,S1X darse cuenta

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serie:U-MOSVIII-H
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:58A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 500µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3400 pF @ 30 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220
paquete / caja:TO-220-3

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