IRF9Z34NSTRLPBF

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Parte del fabricante

IRF9Z34NSTRLPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
22050
Hojas de datos en línea
IRF9Z34NSTRLPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):55 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:19A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:100mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:35 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:620 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.8W (Ta), 68W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:D2PAK
  • paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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