Name: SPP18P06PHXKSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: SPP18P06PHXKSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: SPP18P06PHXKSA1

Fabricante: IR (Infineon Technologies)

Descripción: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 63765

Hojas de datos en línea: SPP18P06PHXKSA1 PDF

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serie:SIPMOS®
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de feto:P-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:18.7A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 1mA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:28 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:860 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):81.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO220-3
paquete / caja:TO-220-3

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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