Name: IPB117N20NFDATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB117N20NFDATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: IPB117N20NFDATMA1

Fabricante: IR (Infineon Technologies)

Descripción: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: IPB117N20NFDATMA1 PDF

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serie:OptiMOS™
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:84A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:11.7mOhm @ 84A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 270µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:87 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6650 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:TO-263-3
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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