SI1441EDH-T1-GE3

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Parte del fabricante

SI1441EDH-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
17850
Hojas de datos en línea
SI1441EDH-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.8V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:41mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:33 nC @ 8 V
  • vgs (máx.):±10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:-
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.8W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-363
  • paquete / caja:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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