SIS407DN-T1-GE3

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Parte del fabricante

SIS407DN-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
1001000
Hojas de datos en línea
SIS407DN-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:25A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.8V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:93.8 nC @ 8 V
  • vgs (máx.):±8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2760 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.6W (Ta), 33W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:PowerPAK® 1212-8
  • paquete / caja:PowerPAK® 1212-8
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