TPH3206LD

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Parte del fabricante

TPH3206LD

Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
TPH3206LD PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:17A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:180mOhm @ 11A, 8V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.6V @ 500µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:9.3 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±18V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:760 pF @ 480 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):96W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:PQFN (8x8)
  • paquete / caja:4-PowerDFN
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Las piezas deben estar sin usar y en su embalaje original.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados ​​por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, modificación del producto, operación negligente o incorrecta.

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