FDMC5614P

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Parte del fabricante

FDMC5614P

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
4200
Hojas de datos en línea
FDMC5614P PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:100mOhm @ 5.7A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:20 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1055 pF @ 30 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.1W (Ta), 42W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-MLP (3.3x3.3)
  • paquete / caja:8-PowerWDFN
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