TJ30S06M3L(T6L1,NQ

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Parte del fabricante

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
370000
Hojas de datos en línea
TJ30S06M3L(T6L1,NQ PDF
Consulta
  • serie:U-MOSVI
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:30A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):6V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:21.8mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:80 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):+10V, -20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3950 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):68W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DPAK+
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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