EPC2007C

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Parte del fabricante

EPC2007C

Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
34096
Hojas de datos en línea
EPC2007C PDF
Consulta
  • serie:eGaN®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:6A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:30mOhm @ 6A, 5V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 1.2mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:2.2 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):+6V, -4V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:220 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):-
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:Die Outline (5-Solder Bar)
  • paquete / caja:Die
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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