2N7002WT1G

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Parte del fabricante

2N7002WT1G

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
329700
Hojas de datos en línea
2N7002WT1G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:310mA (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:0.7 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:24.5 pF @ 20 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):280mW (Tj)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SC-70-3 (SOT323)
  • paquete / caja:SC-70, SOT-323
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