NVMFS5C645NLAFT3G

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Parte del fabricante

NVMFS5C645NLAFT3G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
NVMFS5C645NLAFT3G PDF
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Not For New Designs
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:22A (Ta), 100A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:4mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:34 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2200 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • paquete / caja:8-PowerTDFN, 5 Leads
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados ​​por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, modificación del producto, operación negligente o incorrecta.

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