IRLR2905PBF

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Parte del fabricante

IRLR2905PBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
HEXFET POWER MOSFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
4435
Hojas de datos en línea
IRLR2905PBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):55 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:42A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:27mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:48 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±16V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1.7 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):110W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:D-Pak
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados ​​por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, modificación del producto, operación negligente o incorrecta.

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