IRF7480MTRPBF

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Parte del fabricante

IRF7480MTRPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
143160
Hojas de datos en línea
IRF7480MTRPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®, StrongIRFET™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):40 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:217A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):6V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:1.2mOhm @ 132A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3.9V @ 150µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:185 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6680 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):96W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DirectFET™ Isometric ME
  • paquete / caja:DirectFET™ Isometric ME
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