IRF6648TRPBF

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Parte del fabricante

IRF6648TRPBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
IRF6648 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
14000
Hojas de datos en línea
IRF6648TRPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:86A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:7mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4.9V @ 150µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:50 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2.12 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DIRECTFET™ MN
  • paquete / caja:DirectFET™ Isometric MN
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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