NTE4153NT1G

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Parte del fabricante

NTE4153NT1G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
6458800
Hojas de datos en línea
NTE4153NT1G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:915mA (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.5V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:230mOhm @ 600mA, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.1V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:1.82 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±6V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:110 pF @ 16 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):300mW (Tj)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SC-89-3
  • paquete / caja:SC-89, SOT-490
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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