CSD17313Q2

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Parte del fabricante

CSD17313Q2

Fabricante
Texas
Descripción
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
91350
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:NexFET™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:5A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):3V, 8V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:30mOhm @ 4A, 8V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.8V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:2.7 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):+10V, -8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:340 pF @ 15 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.3W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:6-WSON (2x2)
  • paquete / caja:6-WDFN Exposed Pad
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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El cliente tiene que hacerse cargo del envío.
Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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