BSC052N08NS5ATMA1

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Parte del fabricante

BSC052N08NS5ATMA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
40800
Hojas de datos en línea
BSC052N08NS5ATMA1 PDF
Consulta
  • serie:OptiMOS™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):80 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:95A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):6V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:5.2mOhm @ 47.5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3.8V @ 49µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:40 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2900 pF @ 40 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.5W (Ta), 83W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TDSON-8-7
  • paquete / caja:8-PowerTDFN
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