Name: EPC2010C
Brand: EPC
SKU: EPC2010C
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: EPC2010C

Fabricante: EPC

Descripción: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 11234

Hojas de datos en línea: EPC2010C PDF

EPC2010C darse cuenta

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serie:eGaN®
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:22A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V
rds en (máx.) @ id, vgs:25mOhm @ 12A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 3mA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:5.3 nC @ 5 V
vgs (máx.):+6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:540 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):-
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:Die Outline (7-Solder Bar)
paquete / caja:Die

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Devolución / Garantía	Garantía	Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación. Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, modificación del producto, operación negligente o incorrecta.

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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STB120NF10T4 STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK	En stock: 22.402	$3.00000
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