STT4P3LLH6

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Parte del fabricante

STT4P3LLH6

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
5250
Hojas de datos en línea
STT4P3LLH6 PDF
Consulta
  • serie:DeepGATE™, STripFET™ H6
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:56mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:6 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:639 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):1.6W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-23-6
  • paquete / caja:SOT-23-6
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