IPP60R360P7XKSA1

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Parte del fabricante

IPP60R360P7XKSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
50745
Hojas de datos en línea
IPP60R360P7XKSA1 PDF
Consulta
  • serie:CoolMOS™ P7
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:9A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:360mOhm @ 2.7A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 140µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:13 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:555 pF @ 400 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):41W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO220-3
  • paquete / caja:TO-220-3
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