Name: FQD12N20TM
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQD12N20TM
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: FQD12N20TM

Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descripción: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 5597500

Hojas de datos en línea: FQD12N20TM PDF

FQD12N20TM darse cuenta

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serie:QFET®
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:9A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:5V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:23 nC @ 10 V
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:910 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:D-Pak
paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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