IRLHS6242TRPBF

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Parte del fabricante

IRLHS6242TRPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
28188
Hojas de datos en línea
IRLHS6242TRPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:10A (Ta), 12A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):2.5V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.1V @ 10µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:14 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±12V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1110 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:6-PQFN (2x2)
  • paquete / caja:6-PowerVDFN
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