DMN2009LSS-13

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Parte del fabricante

DMN2009LSS-13

Fabricante
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Descripción
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
40000
Hojas de datos en línea
DMN2009LSS-13 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:12A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):2.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:8mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:58.3 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±12V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2555 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SOP
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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