NTZS3151PT1G

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Parte del fabricante

NTZS3151PT1G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
20000
Hojas de datos en línea
NTZS3151PT1G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:860mA (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.8V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:150mOhm @ 950mA, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:5.6 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:458 pF @ 16 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):170mW (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-563
  • paquete / caja:SOT-563, SOT-666
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