IRLD110PBF

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Parte del fabricante

IRLD110PBF

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
60
Hojas de datos en línea
IRLD110PBF PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:1A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4V, 5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:540mOhm @ 600mA, 5V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:6.1 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:250 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):1.3W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • paquete / caja:4-DIP (0.300", 7.62mm)
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