Name: FDD86567-F085
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDD86567-F085
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: FDD86567-F085

Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 3005000

Hojas de datos en línea: FDD86567-F085 PDF

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serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:3.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:82 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:4950 pF @ 30 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):227W (Tj)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:D-PAK (TO-252)
paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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SI2316DS-T1-E3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3	En stock: 355.497 En orden: 355.497	$0.75000
BSC205N10LSGATMA1 Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET	En stock: 3.500 En orden: 3.500	$0.52000
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DMN10H120SE-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223	En stock: 230.090 En orden: 230.090	$0.64000
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SISS71DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S	En stock: 11.016 En orden: 11.016	$1.16000
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO	En stock: 20.000 En orden: 20.000	$0.83000