FDB6021P

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Parte del fabricante

FDB6021P

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
22055
Hojas de datos en línea
FDB6021P PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:28A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.8V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:30mOhm @ 14A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:28 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1.89 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):37W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-263AB
  • paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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