FQPF33N10L

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Parte del fabricante

FQPF33N10L

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
105000
Hojas de datos en línea
FQPF33N10L PDF
Consulta
  • serie:QFET®
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:52mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:40 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1630 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):41W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220F
  • paquete / caja:TO-220-3 Full Pack
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