ZXMN10A25GTA

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Parte del fabricante

ZXMN10A25GTA

Fabricante
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Descripción
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
651200
Hojas de datos en línea
ZXMN10A25GTA PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:2.9A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:125mOhm @ 2.9A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:17 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:859 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-223
  • paquete / caja:TO-261-4, TO-261AA
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