SI4776DY-T1-GE3

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Parte del fabricante

SI4776DY-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
388787
Hojas de datos en línea
SI4776DY-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:SkyFET®, TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:11.9A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:16mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.3V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:17.5 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:521 pF @ 15 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):4.1W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SO
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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