Name: STB18N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB18N60M6
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: STB18N60M6

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 100000

Hojas de datos en línea: -

STB18N60M6 darse cuenta

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serie:MDmesh™ M6
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:13A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4.75V @ 250µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:16.8 nC @ 10 V
vgs (máx.):±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:650 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:D2PAK
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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FDS6670AS Rochester Electronics	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	En stock: 100.000 En orden: 100.000	$0.07970
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