EPC2016C

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Parte del fabricante

EPC2016C

Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
134646
Hojas de datos en línea
EPC2016C PDF
Consulta
  • serie:eGaN®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:18A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:16mOhm @ 11A, 5V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 3mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:4.5 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):+6V, -4V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:420 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):-
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:Die
  • paquete / caja:Die
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados ​​por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, modificación del producto, operación negligente o incorrecta.

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