NGTB30N120FL2WG

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Parte del fabricante

NGTB30N120FL2WG

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - simple
Serie
-
En stock
3694
Hojas de datos en línea
NGTB30N120FL2WG PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1.2 V
  • corriente - colector (ic) (max):60 A
  • corriente - colector pulsado (icm):120 A
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 30A
  • potencia - máx.:452 W
  • energía de conmutación:2.6mJ (on), 700µJ (off)
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de la puerta:220 nC
  • td (encendido/apagado) @ 25°c:98ns/210ns
  • condición de prueba:600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • tiempo de recuperación inversa (trr):240 ns
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:TO-247-3
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-247
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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