Name: HGT1S10N120BNST
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: HGT1S10N120BNST
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: HGT1S10N120BNST

Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descripción: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - igbts - simple

Serie: -

En stock: 11655

Hojas de datos en línea: HGT1S10N120BNST PDF

HGT1S10N120BNST darse cuenta

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serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo igbt:NPT
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1200 V
corriente - colector (ic) (max):35 A
corriente - colector pulsado (icm):80 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
potencia - máx.:298 W
energía de conmutación:320µJ (on), 800µJ (off)

tipo de entrada:Standard
carga de la puerta:100 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:23ns/165ns
condición de prueba:960V, 10A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):-
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquete de dispositivos del proveedor:TO-263AB

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