RGTH50TS65GC11

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Parte del fabricante

RGTH50TS65GC11

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
IGBT 650V 50A 174W TO-247N
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - simple
Serie
-
En stock
228
Hojas de datos en línea
RGTH50TS65GC11 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):650 V
  • corriente - colector (ic) (max):50 A
  • corriente - colector pulsado (icm):100 A
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 25A
  • potencia - máx.:174 W
  • energía de conmutación:-
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de la puerta:49 nC
  • td (encendido/apagado) @ 25°c:27ns/94ns
  • condición de prueba:400V, 25A, 10Ohm, 15V
  • tiempo de recuperación inversa (trr):-
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:TO-247-3
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-247N
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