Name: MT3S111TU,LF
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: MT3S111TU,LF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: MT3S111TU,LF

Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descripción: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - bipolares (bjt) - rf

Serie: -

En stock: 3372

Hojas de datos en línea: -

MT3S111TU,LF darse cuenta

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serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de transistor:NPN
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):6V
frecuencia - transición:10GHz
figura de ruido (db typ @ f):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
ganar:12.5dB

potencia - máx.:800mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
corriente - colector (ic) (max):100mA
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:3-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivos del proveedor:UFM

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Devolución / Garantía	regresando	Las devoluciones normalmente se aceptan cuando se completan dentro de los 30 días a partir de la fecha de envío, comuníquese con el servicio al cliente para obtener una autorización de devolución. Las piezas deben estar sin usar y en su embalaje original. El cliente tiene que hacerse cargo del envío.
Devolución / Garantía	Garantía	Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación. Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, modificación del producto, operación negligente o incorrecta.

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