NESG2101M05-T1-A

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Parte del fabricante

NESG2101M05-T1-A

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - rf
Serie
-
En stock
653500
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de transistor:NPN
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):5V
  • frecuencia - transición:17GHz
  • figura de ruido (db typ @ f):0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • ganar:11dB ~ 19dB
  • potencia - máx.:500mW
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:130 @ 15mA, 2V
  • corriente - colector (ic) (max):100mA
  • Temperatura de funcionamiento:-
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SOT-343F
  • paquete de dispositivos del proveedor:M05
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