MT3S113TU,LF

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Parte del fabricante

MT3S113TU,LF

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - rf
Serie
-
En stock
5800
Hojas de datos en línea
MT3S113TU,LF PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):5.3V
  • frecuencia - transición:11.2GHz
  • figura de ruido (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
  • ganar:12.5dB
  • potencia - máx.:900mW
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • corriente - colector (ic) (max):100mA
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:3-SMD, Flat Lead
  • paquete de dispositivos del proveedor:UFM
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