BFP182WE6327

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Parte del fabricante

BFP182WE6327

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - rf
Serie
-
En stock
27000
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):12V
  • frecuencia - transición:8GHz
  • figura de ruido (db typ @ f):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • ganar:22dB
  • potencia - máx.:250mW
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 10mA, 8V
  • corriente - colector (ic) (max):35mA
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SC-82A, SOT-343
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-SOT343-4
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