55GN01MA-TL-E

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Parte del fabricante

55GN01MA-TL-E

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - rf
Serie
-
En stock
2147483647
Hojas de datos en línea
55GN01MA-TL-E PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):10V
  • frecuencia - transición:4.5GHz ~ 5.5GHz
  • figura de ruido (db typ @ f):1.9dB @ 1GHz
  • ganar:10dB @ 1GHz
  • potencia - máx.:400mW
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 10mA, 5V
  • corriente - colector (ic) (max):70mA
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SC-70, SOT-323
  • paquete de dispositivos del proveedor:3-MCP
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