BFS17WE6327

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Parte del fabricante

BFS17WE6327

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
RF BIPOLAR TRANSISTOR
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - rf
Serie
-
En stock
3000
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):15V
  • frecuencia - transición:1.4GHz
  • figura de ruido (db typ @ f):3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
  • ganar:-
  • potencia - máx.:280mW
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:40 @ 2mA, 1V
  • corriente - colector (ic) (max):25mA
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SC-70, SOT-323
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-SOT323-3
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