MT3S113(TE85L,F)

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Parte del fabricante

MT3S113(TE85L,F)

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - rf
Serie
-
En stock
5819
Hojas de datos en línea
MT3S113(TE85L,F) PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):5.3V
  • frecuencia - transición:12.5GHz
  • figura de ruido (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
  • ganar:11.8dB
  • potencia - máx.:800mW
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • corriente - colector (ic) (max):100mA
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • paquete de dispositivos del proveedor:S-Mini
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